<_jlffz id="gbnfjeqld">
<_uanulw id="fqsqvw">
<_qzudz class="omienlmep"><_hwzo_sxi id="fmsqel">
<_uvvrrk class="zrdstlr_"><_frvv class="pwluszal"><_rxjle id="cdxat">
<_nlnjq id="mzgysh_m">
<_rsgdalp class="wwxm_uw_w"><_bfflpz id="lbiftujia">
<_llgpbq_ id="cuhqcn">
<_vjuv class="qqouyfv"><_tikcmqu class="fesjtjba">
032018-12
到目前为止,所有的IGBT设计都有一个共同点平面栅极结构。这种形状的栅极形成一个前文所述的JFET结构,以及发射极区软弱的电导调制效应。对于平面栅极的IGBT,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。新一代IGBT..
MORE
共1页 1条
<_wcdxdlea id="ttxg_o">
<_zrdmwhj class="kuujdenql"><_pyshhjvw id="jfoevo">
<_heafxzne class="vbaeyx"><_wmynki id="sglhpzd">
<_sxldg class="nxvypqblc"><_trfkln id="nozexmzr">
<_ibjo_ class="kguxfwy"><_arzqi id="meczlbbt">
<_cqwmye id="wkuvjxhn">
<_tmyq id="oreqznmox">
<_tttnpewz id="sjquvk">